由于开创性的全光磁化开关的新研究，提供超快和节能磁记录的探索可能离实现更近一步。
随着数据中心的容量和电力消耗呈指数级增长，经济和社会都迫切需要找到更节能的信息存储方法。
溧阳同城游戏大厅这种需求刺激了对磁性薄膜磁化控制的新物理机制的广泛研究，例如全光开关。
全光磁化开关允许磁位完全由光激光脉冲写入，而不需要任何外部磁场。
以往对全光磁化开关的研究几乎都集中在稀土基材料上，如Gd和Tb，这限制了器件的可调性和可扩展性。
由埃克塞特大学领导的一组研究人员，在磁化的全光开关方面取得了关键的突破，展示了仅基于过渡金属(如Fe, Co或Ni)的高效能纳米级磁存储设p9000备的潜力。
从技术应用的角度来看，本工作中使用的无稀土合成铁氧体由于其成本低、组成材料相对丰富，且具有无可比拟的可调性而备受青睐。
结果表明，在Ni3Pt和Co铁磁层的反平行排列的两种等效磁结构之间流动的自旋极化电流驱动全光开关。这种开关可以在很宽的温度范围内，不受光偏振的影响而实现。
这项研究发表在《纳米快报》上。
埃克塞特大学的第一作者Maciej D?browski说:“我们的结果表明，在无稀土合成铁磁中，螺旋度无关的全光开关的关键因素是有两个不同的过渡金属层。
通过使用Ni3Pt和Co层，我们能够在激光激发后产生1万亿分之一秒(10-12秒)的自旋极化电流不平衡，这最终导致了磁化开关。”
过渡金属合成铁磁体:纳米级自旋电流驱动的全光开关可调介质发表在《纳米快报》上